低溫?zé)Y(jié)可焊接納米銀漿AS9120W技術(shù)詳解

善仁新材較新開發(fā)的可焊接納米銀漿AS9120W在120℃即可固化，能耗降低50%以上，且兼容玻璃、陶瓷、塑料、薄膜等基材，產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用如下：

一 核心性能突破

1超低溫?zé)Y(jié)與導(dǎo)電性優(yōu)化

AS9120W在120℃固化30分鐘后體積電阻率低至4.5×10??Ω·cm，130℃燒結(jié)30分鐘進(jìn)一步降至3.51×10??Ω·cm，接近傳統(tǒng)銀漿的90%導(dǎo)電水平。其納米銀顆粒通過量子尺寸效應(yīng)和表面活性增強(qiáng)原子擴(kuò)散效率，實(shí)現(xiàn)低溫下致密連接層的形成，孔隙率控制在2%-5%，顯著降低熱阻。

2高機(jī)械可靠性

固化后剪切強(qiáng)度達(dá)5.0N/mm2以上（傳統(tǒng)焊錫膏僅0.5N/mm2），在柔性電路中可承受50萬次彎折后電阻變化<3%，滿足可穿戴設(shè)備動(dòng)態(tài)形變需求。5G射頻器件中實(shí)現(xiàn)0.1mm寬微線路鍵合，線間距<0.05mm，支持高頻信號(hào)低損耗傳輸（介電損耗<0.005）。

二 工藝兼容性與應(yīng)用場(chǎng)景

1基材適應(yīng)性

傳統(tǒng)可焊接銀漿只能在玻璃、陶瓷上使用，AS9120W兼容PET、PI、等熱敏感基材，燒結(jié)溫度低于基材玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)，避免變形或脆化。在Micro LED倒裝鍵合中，直接印刷于驅(qū)動(dòng)背板并焊接發(fā)光芯片，精度達(dá)20-40μm，滿足高密度集成需求。

2能源與電子領(lǐng)域應(yīng)用

5G通信：用于毫米波天線和濾波器，降低基站功耗30%，支持28GHz頻段信號(hào)穩(wěn)定傳輸；

光伏電池：適配鈣鈦礦/晶硅疊層電池頂電極，接觸電阻率<0.3mΩ·cm2，提升填充因子至85%以上；

醫(yī)療電子：通過ISO10993生物認(rèn)證，植入式設(shè)備（如心臟起搏器）壽命延長(zhǎng)至15年，12周阻抗穩(wěn)定性<5%。

三 工藝創(chuàng)新與成本效益

1一步法簡(jiǎn)化PCB生產(chǎn)流程

傳統(tǒng)PCB需260℃回流焊→激光鉆孔→蝕刻等多道工序，而AS9120W僅需絲網(wǎng)印刷→120℃固化→直接激光焊接，生產(chǎn)周期縮短60%，能耗降低50%。

2成本控制策略

銀漿用量?jī)?yōu)化：高寬比達(dá)0.77（干膜），理論線寬15μm，減少30%銀漿消耗；

設(shè)備兼容性：適配現(xiàn)有涂布/印刷設(shè)備，無需改造產(chǎn)線，單線改造成本<50萬元。

四 產(chǎn)業(yè)鏈影響與市場(chǎng)前景

1設(shè)備升級(jí)需求

需配套高精度印刷機(jī)，線寬分辨率±0.5μm，推動(dòng)設(shè)備廠商技術(shù)迭代。

2市場(chǎng)預(yù)測(cè)

2025年柔性電子領(lǐng)域納米銀漿需求將達(dá)45億元，AS9120W在折疊屏、AR/VR等場(chǎng)景滲透率有望突破30%，2030年全球市場(chǎng)規(guī)模或超200億元。

總之，善仁新材開發(fā)的AS9120W通過120℃超低溫?zé)Y(jié)、0.1mm線寬高精度鍵合和多基材兼容三大核心優(yōu)勢(shì)，解決了傳統(tǒng)焊接技術(shù)的高能耗、柔性基材損傷等痛點(diǎn)。其在5G通信、Micro LED、醫(yī)療電子等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，將加速電子器件向輕薄化、可穿戴、高可靠方向升級(jí)。