優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品:燒結(jié)銀、無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,半燒結(jié)納米銀膏、納米銀導(dǎo)電墨水、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電銀漿、導(dǎo)電油墨、銀/氯化銀、納米銀漿、可拉伸銀漿、燒結(jié)銀膜、納米焊料鍵合材料、UV銀漿、光刻銀漿、UV膠、導(dǎo)熱絕緣膠、DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片、導(dǎo)電銀膜、銀玻璃膠粘劑,納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、高導(dǎo)熱銀膠、導(dǎo)電膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺(tái),金屬技術(shù)平臺(tái)、樹脂合成技術(shù)平臺(tái)、同位合成技術(shù)平臺(tái),粘結(jié)技術(shù)平臺(tái)等。
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燒結(jié)銀在核聚變的三大應(yīng)用場(chǎng)景
燒結(jié)銀在核聚變領(lǐng)域的應(yīng)用,主要圍繞其高導(dǎo)熱性、高可靠性、低溫?zé)Y(jié)適應(yīng)性等核心特性,聚焦于功率半導(dǎo)體模塊封裝、熱沉材料、極端環(huán)境部件連接等關(guān)鍵環(huán)節(jié),為核聚變裝置如托卡馬克的穩(wěn)定運(yùn)行提供關(guān)鍵材料支撐。
一、核心應(yīng)用場(chǎng)景1:功率半導(dǎo)體模塊的芯片連接與封裝
核聚變裝置如托卡馬克的運(yùn)行依賴大量功率半導(dǎo)體器件,這些器件需在高電壓、大電流、高溫環(huán)境下工作,其芯片與基板的連接材料需具備極高的導(dǎo)熱性和可靠性。燒結(jié)銀膏是此類場(chǎng)景的理想選擇,具體應(yīng)用包括:
1芯片與基板的連接:燒結(jié)銀膏AS9335通過150℃低溫?zé)Y(jié)形成致密的銀連接層,其熱導(dǎo)率可達(dá)200W/m.K,是傳統(tǒng)錫焊料的4倍,能有效導(dǎo)出SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量,降低芯片結(jié)溫,如從150℃降至100℃以下,提高模塊的工作效率和壽命。例如,善仁新材的AS9385系列有壓燒結(jié)銀膏,通過納米銀顆粒的固態(tài)擴(kuò)散機(jī)制,形成孔隙率<5%的致密結(jié)構(gòu),剪切強(qiáng)度可達(dá)80 MPa以上,適用于核聚變裝置中功率模塊的高可靠性連接。
2晶圓級(jí)連接:對(duì)于核聚變裝置中的小型化、集成化功率芯片,燒結(jié)銀膜,如GVF9500系列可實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)的高精度連接,避免傳統(tǒng)封裝中的切割、貼片等工序,提高生產(chǎn)效率。燒結(jié)銀膜的厚度可控制在50微米以內(nèi),確保芯片與基板的一致性,減少熱應(yīng)力導(dǎo)致的芯片開裂。
二、核心應(yīng)用場(chǎng)景2:熱沉材料的界面連接
1核聚變裝置中的熱沉,如銅或鋁制散熱器需快速導(dǎo)出功率器件產(chǎn)生的熱量,其表面與芯片的連接材料需具備高導(dǎo)熱性和良好的界面兼容性。燒結(jié)銀膏作為熱界面材料(TIM),可填充熱沉與芯片之間的微小空隙,降低接觸熱阻,提高散熱效率。例如:
2模塊與散熱器的連接:燒結(jié)銀膏(如AS9356)可用于核聚變裝置中功率模塊與鋁/銅散熱器的連接,其熱導(dǎo)率可達(dá)200 W/m·K以上,能有效將模塊熱量傳遞至散熱器,再通過冷卻系統(tǒng)(如水冷)散出。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱硅脂相比,燒結(jié)銀膏的導(dǎo)熱性能更穩(wěn)定,不會(huì)因長(zhǎng)期高溫而失效。
三、核心應(yīng)用場(chǎng)景3:極端環(huán)境部件的連接,如第一壁、偏濾器
1核聚變裝置中的第一壁和偏濾器需承受高熱負(fù)荷10 MW/m以上、高粒子轟擊和中子輻照,其結(jié)構(gòu)材料的連接需具備高熔點(diǎn)、低膨脹系數(shù)和抗輻照性能。燒結(jié)銀膏的高熔點(diǎn)(銀的熔點(diǎn)為961℃)和可設(shè)計(jì)性使其適用于此類極端環(huán)境:
2第一壁的熱管理:第一壁的材料如鎢基合金需與熱沉連接,燒結(jié)銀膏可作為中間層,填充鎢與銅之間的空隙,降低界面熱阻,提高熱傳遞效率。此外,燒結(jié)銀膏的抗熱循環(huán)性能能有效應(yīng)對(duì)第一壁的熱脹冷縮問題。
四、技術(shù)優(yōu)勢(shì):為何選擇燒結(jié)銀膏?
燒結(jié)銀膏在核聚變領(lǐng)域的應(yīng)用,核心優(yōu)勢(shì)在于其性能匹配極端環(huán)境需求:
1高導(dǎo)熱性:銀的自然屬性使其導(dǎo)熱性能遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)焊料,能有效解決核聚變裝置中功率器件的高熱密度問題。
2高可靠性:燒結(jié)銀膏的致密結(jié)構(gòu)和>40MPa高剪切強(qiáng)度,使其能承受核聚變裝置中的熱循環(huán)如等離子體脈沖導(dǎo)致的熱沖擊、振動(dòng)和機(jī)械應(yīng)力,不會(huì)因長(zhǎng)期運(yùn)行而失效。
3低溫?zé)Y(jié)適應(yīng)性:部分燒結(jié)銀膏如AS9338可在130℃下低溫?zé)Y(jié),避免了對(duì)SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的熱損傷,適用于核聚變裝置中精密器件的封裝。
五、實(shí)際價(jià)值:推動(dòng)核聚變裝置的商業(yè)化進(jìn)程
燒結(jié)銀膏的應(yīng)用,直接解決了核聚變裝置中功率器件散熱和可靠性兩大關(guān)鍵問題,為核聚變的商業(yè)化提供了重要支撐:
1提高裝置運(yùn)行效率:通過高效散熱,功率器件的工作效率可提高10%-20%,減少能量損耗,提升核聚變裝置的輸出功率。
2延長(zhǎng)器件壽命:高可靠性的連接材料能將功率器件的壽命從傳統(tǒng)的10,000小時(shí)延長(zhǎng)至50,000小時(shí)以上,降低核聚變裝置的維護(hù)成本。
3支持小型化設(shè)計(jì):燒結(jié)銀膏的高導(dǎo)熱性和致密結(jié)構(gòu),使功率模塊的體積可縮小30%-50%,有利于核聚變裝置的小型化和緊湊化,如全高溫超導(dǎo)托卡馬克裝置。
總結(jié):燒結(jié)銀膏在核聚變領(lǐng)域的應(yīng)用,聚焦于功率半導(dǎo)體模塊封裝、熱沉材料連接、極端環(huán)境部件連接等關(guān)鍵環(huán)節(jié),其高導(dǎo)熱性、高可靠性、低溫?zé)Y(jié)適應(yīng)性等特性,完美匹配了核聚變裝置的極端環(huán)境需求。
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